一、浮栅ROM器件的辐射效应实验研究（论文文献综述）
彭聪[1]（2020）在《NAND型Flash存储器质子单粒子效应及机制研究》文中研究指明NAND闪存具有大容量、非易失性和高可靠性等优势,是空间任务数据存储的理想选择。然而空间高能粒子会引发存储器的单粒子效应,造成数据失效或丢失。随着器件集成度越来越高,单粒子效应对于存储器的影响愈发严重。本课题针对特征尺寸最低至16 nm的NAND闪存,研究其质子单粒子效应的变化规律与效应机制。主要研究内容如下:1)利用高能质子对不同特征尺寸的NAND闪存质子单粒子效应及效应随时间的退火规律进行了研究。在静态无偏测试中,特征尺寸减小到51 nm后,器件高能质子单粒子翻转截面随特征尺寸的降低显着上升。且相比单级器件,多级器件对质子诱导的单粒子翻转更加敏感。动态测试中,器件发生占位错误后经过一段时间退火能够恢复正常。该现象可能是由质子在器件外围电路局部区域产生的微剂量效应引起。对高能质子辐照过的器件进行长达两个月的错误监测,结果表明由隧道氧化物绝缘性能降低所导致的器件驻留错误产生比氧化物陷阱俘获电荷退火引起的器件错误退火更为重要。2)对多个特征尺寸的闪存进行低能质子单粒子效应的研究。在0.41 Me V的质子辐照下,特征尺寸在25 nm及以下的器件出现单粒子效应截面峰值。SRIM模拟结果表明,低能质子在穿透器件的多层金属布线层后能量降低至LET值最高的布拉格峰处,质子通过直接电离在器件灵敏区沉积大量能量是单粒子翻转截面峰出现的直接原因。此外,对25 nm多级闪存在不同测试图形及加电状态下的单粒子效应进行了测试。在“55”、“AA”、“00”三种测试图形下器件的低能质子单粒子效应截面差异很小,在不加电与3.3V工作电压下器件低能质子单粒子效应截面差异也很小。25 nm多级闪存的单粒子效应对不同编程电平及加电状态不敏感。3)利用低能质子对闪存累积剂量与单粒子的协和效应进行了研究。采用60Co进行总剂量摸底试验,结果显示1 G与8 G单级器件约在15 krad（Si）剂量下出现数据位翻转,而32 G单级器件在10 krad（Si）就已经出现数据位翻转。对32 G单级器件的协和效应研究表明,累积剂量越大的器件单粒子效应截面越大,累积剂量能够增强器件对单粒子效应的敏感性。分析认为累积剂量与质子辐照能够引起闪存器件浮栅单元阈值电压的组合偏移,导致阈值电压低于读取电压的浮栅单元数目大大增加,最终造成器件单粒子翻转截面增大。本课题分别对高能质子与低能质子导致的闪存器件单粒子效应进行了深入研究。测试了不同能量质子导致的单粒子翻转截面,讨论了错误随时间的退火,分析了多种因素对单粒子效应发生率的影响。研究工作可为闪存的空间应用提供数据支撑,为器件的抗辐照加固设计提供理论支持。
杨善潮,齐超,刘岩,郭晓强,金晓明,陈伟,白小燕,林东生,王桂珍,王晨辉,李斌[2]（2015）在《中子单粒子效应研究现状及进展》文中研究指明回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。
王桂珍,齐超,林东生,白小燕,杨善潮,李瑞宾,刘岩,金晓明[3]（2014）在《EEPROM瞬时剂量率效应实验研究》文中提出对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy（Si）/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。
王桂珍,齐超,林东生,白小燕,杨善潮,李瑞宾,刘岩,金晓明[4]（2014）在《EEPROM瞬时剂量率效应实验研究》文中指出对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy（Si）/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。
王桂珍,林东生,齐超,白小燕,杨善超,李瑞宾,马强,金晓明,刘岩[5]（2014）在《EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较》文中进行了进一步梳理对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy（Si）/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy（Si）/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy（Si）/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy（Si）/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。
盛江坤,邱孟通,姚志斌,何宝平,黄绍艳,刘敏波,肖志刚,王祖军[6]（2014）在《NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究》文中提出针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。
章旭明[7]（2014）在《非挥发半导体存储器辐照失效机理及抗辐照加固研究》文中进行了进一步梳理随着我国空间技术的不断进步,对外太空的探索越来越频繁。在外太空中存在大量的空间辐射,这些辐射对运行在其中的卫星等宇航器件有致命的影响,会导致器件的失效,这些器件中集成电路产品对辐射环境更加的敏感。随着人们对空间辐射环境认识的加深,如何提高集成电路的抗辐照能力,也就成了各国的重点研究领域,这些研究中以半导体存储器的辐照失效机理以及相应的抗辐照加固技术为重点,本文系统性的概括了辐射环境以及辐射效应。半导体存储器分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类,其中非挥发性半导体存储器在断电的情况下数据不会丢失,常用来存储大容量的数据。非挥发性存储器中以EEPROM和FLASH这两种存储器使用最为广泛,本文的工作主要对FLASH存储器开展研究。非挥发性半导体存储器的辐照失效类型主要有单粒子失效、总剂量失效和剂量率失效等几大类。本文详细分析了各类辐照失效的内在机理,在分析失效机理的基础上,研究了各种抗辐照加固技术,主要有设计加固和工艺加固两大类。在完成辐照失效机理和抗辐照加固技术的研究基础上,本文采用设计加固的方法设计了一款具有抗辐照能力的FLASH器件并进行了辐照试验。通过对FLASH器件辐照试验数据的分析,验证了所采用的抗辐照加固技术可以有效提高器件的抗辐照能力。为进一步提高器件的抗辐照能力,本文提出了综合设计和工艺的抗辐照加固方法,为后续工作开展的另一个起点。
罗敏涛[8]（2014）在《Flash存储器总剂量效应研究》文中进行了进一步梳理Flash存储器具有高速度、大容量、非易失性和高可靠性等特点，近年来已经逐步应用于航天电子系统中，空间中的各种高能粒子会对包括Flash的各种电子元器件造成严重的影响，引起各种辐射效应，总剂量效应是Flash存储器在空间应用中需要面对的最重要的问题之一，因此对Flash存储器的总剂量效应研究具有十分重要的意义。本文从总剂量效应在MOS器件中的产生机理出发，首先分析了总剂量效应对MOS器件电参数和性能的影响。接着结合NOR型Flash存储器的内部各模块的电路结构和浮栅单元的工作原理研究其总剂量敏感单元和敏感参数，分析得出电荷泵和存储单元是NOR型Flash敏感单元的结论。在调研国内外辐射试验标准和相关文献的基础上，制订总剂量试验方案，开发设计出一套针对AM29LV160D芯片的总剂量效应试验系统。在总剂量试验中，动态偏置的芯片最先失效，芯片的擦除时间在试验中严重退化且编程功能总是先于擦除功能失效。试验结果证明电荷泵是Flash存储器的总剂量试验中最敏感的单元，存储单元中辐射诱发的两种陷阱电荷的不同可能是导致芯片编程和擦除功能先后失效的重要原因，开启电荷泵的动态偏置是Flash存储器总剂量试验的最劣偏置。
范雪[9]（2011）在《一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究》文中提出随着我国航天事业的飞速发展,对抗辐射加固型集成电路的需求更加迫切,与此同时西方发达国家明确规定对抗辐射加固技术实行严格控制或禁运,于是抗辐射加固型集成电路的研制成为了我国“十一五”和“十二五”期间的一个重要研究方向。抗辐射反熔丝可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory,PROM）是一种高可靠非易失性存储器,常被用作航天电子系统中程序代码以及其他关键信息的存储。抗辐射反熔丝PROM存储器的研制在国内刚刚起步,反熔丝单元器件（以下简称“反熔丝器件”）本身的材料、结构、制作工艺、击穿特性、一致性、可靠性,反熔丝器件的制作工艺与标准互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）工艺的兼容性,反熔丝PROM存储器的辐射效应和抗辐射加固设计等都亟待大量研究。本论文基于上述背景,围绕抗辐射反熔丝PROM的研制从反熔丝器件、反熔丝PROM芯片（以下简称“反熔丝PROM”）、辐射效应和抗辐射加固技术等几个方面进行了深入研究,具体包括:1.提出了一种新型的与商用闪存（Flash）CMOS工艺兼容的反熔丝器件结构,并通过设计、流片,制备了这种结构的反熔丝器件。针对该新型的反熔丝器件,进行了击穿电压、击穿电流、击穿时间、击穿前后电阻值分布的研究,结果显示该反熔丝器件有着良好的击穿特性和击穿后电阻值分布特性。2.基于该新型的反熔丝器件设计并制备了8kbit的反熔丝PROM。通过对制备的新型反熔丝器件的特性分析,设计了反熔丝存储单元和阵列、地址译码电路、编程电路和读出电路等外围电路,并基于商用工艺线完成了反熔丝PROM的流片。对反熔丝PROM的功能测试表明该反熔丝PROM可以按位正确实现编程和读取。3.基于目前国内的地面模拟辐射实验环境,对CMOS集成电路总剂量效应和单粒子效应的测试环境和测试方法进行了研究,给出了完整的实验流程,并设计了辐射效应测试系统。对比研究了现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array, FPGA）在锎-252源和串列重离子加速器下的单粒子效应的区别,定量给出了锎-252源在现代集成电路的单粒子辐射效应测试中的局限性。4.通过分析反熔丝PROM的电路结构,得出反熔丝PROM的加固重点在于总剂量（Total Ionizing Dose, TID）效应和单粒子闩锁（Single Event Latchup,SEL）效应。于是本文针对封闭形栅的TID加固方法和保护环的SEL加固方法进行了研究。设计和流片制作了不同栅氧层厚度的环形栅和半环形栅的NMOS的晶体管,对环形栅和半环形栅的面积牺牲和晶体管的宽长比提取进行了研究,提出了一种简易的半环形栅宽长比提取方法。并对比研究了不同栅氧厚度的条形栅、环形栅和半环形栅的总剂量辐射效应。在商业CMOS工艺线上实现了保护环加固方法的流片,并对其面积牺牲和抗SEL性能进行了实验研究。相关研究为基于CMOS电路的抗辐射加固设计提供了实验数据,为制定加固方案和预估加固效果提供了重要依据。5.对研制的反熔丝PROM进行了抗辐射加固设计和辐射效应实验研究。通过对反熔丝器件和反熔丝PROM整体电路初步的总剂量和单粒子辐射效应实验研究,分析了反熔丝PROM各部分的抗辐射能力。实验结果显示,反熔丝器件有着良好的抗辐射能力。整个芯片中对TID辐射敏感的部分为使用高压器件的泵压电路和灵敏放大器。通过在外围CMOS电路中采用保护环的加固设计方式可以将发生SEL的线性能量转移（Linear Energy Transfer,LET）阈值从3752.3MeV·cm2/mg提高到74Mev·cm2/mg以上。6.对比研究了基于静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）的FPGA、Flash存储器和反熔丝PROM的辐射效应。对不同特征尺寸的CMOS工艺耐受TID和SEL的能力进行了实验研究。并对不同类型存储器的静态单粒子翻转（Single Event Upset,SEU）效应和总剂量功能失效特性进行了对比研究。实验结果显示了基于不同CMOS工艺节点的不同类型存储器的辐射效应存在着巨大差别,从而为航天电子系统中存储器的选型提供实验数据。
范雪,李平,谢小东,李辉,杨志明,丛伟林[10]（2011）在《0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究》文中指出针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性,在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45 krad（Si）和功能失效总剂量阈值为92 krad（Si）的试验结果。
二、浮栅ROM器件的辐射效应实验研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、浮栅ROM器件的辐射效应实验研究（论文提纲范文）
（1）NAND型Flash存储器质子单粒子效应及机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 注释表 |
| 缩略词 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 空间辐射环境 |
| 1.3 空间辐射效应 |
| 1.4 Flash存储器单粒子效应 |
| 1.4.1 Flash存储器 |
| 1.4.2 Flash存储器单粒子效应研究现状 |
| 1.5 本课题的研究目的和研究内容 |
| 第二章 试验器件与装置 |
| 2.1 实验器件 |
| 2.2 单粒子效应测试系统及辐照偏置测试模式 |
| 2.2.1 单粒子效应测试系统 |
| 2.2.2 辐照偏置测试模式 |
| 2.3 加速器装置 |
| 2.3.1 中国原子能科学研究院强流质子回旋加速器 |
| 2.3.2 北京大学重离子物理研究所加速器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 Flash存储器高能质子单粒子效应及浮栅单元错误退火 |
| 3.1 高能质子Flash存储器单粒子效应静态无偏测试 |
| 3.1.1 实验条件及设置 |
| 3.1.2 静态无偏测试实验结果分析讨论 |
| 3.2 高能质子Flash存储器单粒子效应动态测试 |
| 3.2.1 实验条件及设置 |
| 3.2.2 动态测试实验结果与分析讨论 |
| 3.3 高能质子Flash存储器浮栅单元错误退火特性 |
| 3.3.1 退火实验及结果 |
| 3.3.2 退火的效应机制分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Flash存储器低能质子单粒子效应及影响因素研究 |
| 4.1 低能质子单粒子效应截面研究 |
| 4.1.1 实验条件及设置 |
| 4.1.2 低能质子单粒子效应的实验结果 |
| 4.2 基于SRIM的器件及材料低能质子模拟 |
| 4.2.1 SRIM软件简介 |
| 4.2.2 SRIM模拟结果与效应分析 |
| 4.3 不同因素对低能质子单粒子效应的影响 |
| 4.3.1 测试图形 |
| 4.3.2 器件加电状态 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Flash存储器总剂量和单粒子效应的协和效应研究 |
| 5.1 Flash存储器总剂量效应实验测试 |
| 5.1.1 实验条件及设置 |
| 5.1.2 总剂量实验结果 |
| 5.2 总剂量与单粒子协和效应研究 |
| 5.2.1 实验条件及设置 |
| 5.2.2 协和效应实验结果 |
| 5.2.3 协和效应错误机制分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 研究总结 |
| 6.2 研究创新点 |
| 6.3 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 攻读硕士学位期间发表(录用)论文情况 |
| 攻读硕士学位期间参加科研项目情况 |
（4）EEPROM瞬时剂量率效应实验研究（论文提纲范文）
| 1 EEPROM的结构、数据存储原理及其瞬时辐射效应 |
| 1.1 EEPROM的结构及数据存储原理 |
| 1.2 EEPROM的瞬时辐射效应 |
| 2 EEPROM的瞬时辐射效应实验方法 |
| 2.1 模拟源 |
| 2.2 实验电路及效应测试方法 |
| 2.3 辐射环境测量 |
| 3 实验结果及分析 |
| 3.1 实验结果 |
| 3.2 EEPROM的瞬时辐射效应分析 |
| 4 结论 |
（5）EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 存储器结构、原理及辐射效应 |
| 2.1 SRAM电路 |
| 2.2 EEPROM |
| 3 试验方法 |
| 3.1 辐射源及实验电路 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 辐射环境测量 |
| 4 实验结果及分析 |
| 4.1 实验测量结果 |
| 4.2 结果分析 |
| 5 结论 |
（6）NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究（论文提纲范文）
| 1 NAND型Flash存储器 |
| 2 实验 |
| 3 实验结果与分析 |
| 3.1 辐照偏置对总剂量效应的影响 |
| 3.2 不同工艺尺寸器件的总剂量效应 |
| 4 小结 |
（7）非挥发半导体存储器辐照失效机理及抗辐照加固研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 半导体存储器概要 |
| 1.2.1 EEPROM |
| 1.2.2 FLASH |
| 1.3 辐射环境以及辐射效应 |
| 1.3.1 空间辐射环境 |
| 1.3.2 大气辐射环境 |
| 1.3.3 地面辐射环境 |
| 1.3.4 辐射效应 |
| 1.4 国内外研究现状 |
| 1.5 论文的研究意义以及组织结构 |
| 第二章 半导体辐射效应失效机理 |
| 2.1 辐射效应失效概要 |
| 2.2 总剂量效应失效机理 |
| 2.3 单粒子效应失效机理 |
| 2.3.1 漏斗效应 |
| 2.3.2 单粒子翻转 |
| 2.3.3 单粒子闩锁 |
| 2.3.4 单粒子烧毁 |
| 2.3.5 单粒子栅穿 |
| 2.4 剂量率效应失效机理 |
| 2.5 位移效应失效机理 |
| 2.6 存储电荷损失失效机理 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 抗辐照加固技术研究 |
| 3.1 抗辐照加固研究的现状 |
| 3.2 抗辐照的设计加固 |
| 3.2.1 电路设计加固 |
| 3.2.2 版图设计加固 |
| 3.3 抗辐照的工艺加固 |
| 3.3.1 栅氧化层加固 |
| 3.3.2 场氧化层加固 |
| 3.3.3 SOI工艺加固 |
| 3.3.4 封装加固工艺 |
| 3.3.5 屏蔽加固工艺 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 辐射试验以及结果分析 |
| 4.1 总剂量辐射试验方案 |
| 4.2 FLASH存储器总剂量辐照试验 |
| 4.3 FLASH存储器高剂量率试验 |
| 4.3.1 静态工作电流 |
| 4.3.2 动态工作电流 |
| 4.3.3 功能情况 |
| 4.3.4 电荷丢失情况 |
| 4.4 FLASH存储器低剂量率(0.1rad/s)试验 |
| 4.4.1 静态工作电流 |
| 4.4.2 功能情况 |
| 4.4.3 电荷丢失情况 |
| 4.5 FLASH存储器低剂量率(0.01rad/s)试验 |
| 4.5.1 静态工作电流 |
| 4.5.2 动态工作电流 |
| 4.5.3 功能情况 |
| 4.5.4 电荷丢失情况 |
| 4.6 单粒子辐射试验方案 |
| 4.6.1 试验线路板 |
| 4.6.2 单粒子翻转测试系统 |
| 4.6.3 单粒子闩锁测试系统 |
| 4.7 FLASH存储器单粒子辐照试验 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 结合辐射试验的抗辐照加固 |
| 5.1 器件结构及电路设计 |
| 5.2 工艺设计 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）Flash存储器总剂量效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 Flash 存储器的发展现状和应用需求 |
| 1.1.2 空间辐射环境中的辐射效应 |
| 1.2 总剂量效应研究现状 |
| 1.3 论文的主要工作及组织结构 |
| 第二章 总剂量效应分析 |
| 2.1 MOS 器件总剂量效应产生机理 |
| 2.1.1 氧化层陷阱电荷 |
| 2.1.2 界面态陷阱电荷 |
| 2.2 总剂量效应对 MOS 器件的影响 |
| 2.2.1 阈值电压漂移 |
| 2.2.2 辐射导致的漏电流 |
| 2.2.3 跨导退化 |
| 2.3 总剂量效应影响因素分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 Flash 存储器总剂量敏感性研究 |
| 3.1 Flash 存储器工作原理和组成结构 |
| 3.1.1 浮栅单元工作原理和操作 |
| 3.1.2 Flash 存储器的架构 |
| 3.2 Flash 存储器内部各模块的总剂量敏感性分析 |
| 3.2.1 Flash 存储器的结构组成 |
| 3.2.2 Flash 的存储阵列及其总剂量敏感性分析 |
| 3.2.3 Flash 外围电路中电荷泵及其总剂量敏感性分析 |
| 3.2.4 Flash 外围电路其他部分的敏感性分析 |
| 3.3 AM29LV160D 存储器的辐射敏感性 |
| 3.3.1 AM29LV160D 芯片介绍 |
| 3.3.2 AM29LV160D 存储器的总剂量敏感性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Flash 存储器总剂量试验及结果分析 |
| 4.1 AM29LV160D 器件总剂量效应试验方案 |
| 4.1.1 试验偏置方案 |
| 4.1.2 剂量率和退火的选择 |
| 4.2 AM29LV160D 总剂量效应试验系统介绍 |
| 4.2.1 测试系统硬件介绍 |
| 4.2.2 测试系统软件介绍 |
| 4.3 AM29LV160D 器件总剂量效应试验程序 |
| 4.4 AM29LV160D 总剂量效应试验结果和分析 |
| 4.4.1 试验结果 |
| 4.4.2 结果讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.1.1 空间辐射环境 |
| 1.1.2 电离辐射效应 |
| 1.1.3 抗辐射存储器的应用需求 |
| 1.2 抗辐射存储器的研究现状 |
| 1.2.1 已有抗辐射存储器和新型存储器的研制进展 |
| 1.2.2 抗辐射反熔丝存储器的研制 |
| 1.3 抗辐射反熔丝PROM 研制的关键问题 |
| 1.3.1 反熔丝器件的制备技术研究 |
| 1.3.2 反熔丝器件的辐射效应 |
| 1.3.3 抗辐射加固设计 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 |
| 1.4.1 主要贡献和创新 |
| 1.4.2 论文内容安排 |
| 第二章 新型反熔丝器件的设计与实现 |
| 2.1 反熔丝器件概述 |
| 2.2 与商用Flash 工艺兼容的新型反熔丝器件结构 |
| 2.3 新型反熔丝器件的特性研究 |
| 2.3.1 编程特性 |
| 2.3.2 击穿后电阻特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 反熔丝PROM 的研制 |
| 3.1 反熔丝PROM 存储器概述 |
| 3.2 反熔丝PROM 的设计 |
| 3.2.1 电路设计 |
| 3.2.2 版图设计 |
| 3.3 反熔丝PROM 的测试 |
| 3.3.1 编程功能测试 |
| 3.3.2 读取功能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 辐射效应测试方法研究 |
| 4.1 地面模拟辐射效应实验概述 |
| 4.2 总剂量辐射效应试验方法研究 |
| 4.2.1 总剂量辐射效应实验的相关术语 |
| 4.2.2 总剂量辐射效应测试流程 |
| 4.3 单粒子辐射效应实验方法研究 |
| 4.3.1 单粒子辐射效应实验的相关术语 |
| 4.3.2 单粒子效应地面模拟实验使用的模拟源简介 |
| 4.3.3 锎源与重离子加速器的单粒子效应对比研究 |
| 4.3.4 单粒子效应测试方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于CMOS 工艺的抗辐射加固设计研究 |
| 5.1 抗辐射加固方法概述 |
| 5.1.1 针对总剂量辐射效应的加固方法 |
| 5.1.2 针对单粒子闩锁效应的加固方法 |
| 5.2 封闭形栅的加固方法研究 |
| 5.2.1 封闭形栅的器件性能研究 |
| 5.2.2 封闭形栅的总剂量辐射效应研究 |
| 5.3 基于保护环的加固方法研究 |
| 5.3.1 测试样片 |
| 5.3.2 辐照环境与测试方法 |
| 5.3.3 实验结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 反熔丝PROM 的辐射效应研究 |
| 6.1 反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 |
| 6.1.1 反熔丝存储器件的总剂量辐射效应研究 |
| 6.1.2 反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 |
| 6.2 反熔丝PROM 的单粒子辐射效应研究 |
| 6.2.1 概述 |
| 6.2.2 实验环境与实验方法 |
| 6.2.3 实验结果与讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 基于SRAM 的FPGA 和FLASH 存储器的辐射效应研究 |
| 7.1 概述 |
| 7.2 总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.1 基于SRAM 的FPGA 的总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.2 Flash 存储器的总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.3 几种存储器的总剂量辐射效应对比 |
| 7.3 不同类型存储器的单粒子辐射效应研究 |
| 7.3.1 单粒子闩锁辐射效应的研究 |
| 7.3.2 单粒子翻转辐射效应的研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 工作总结 |
| 8.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 博士在学期间的研究成果 |
（10）0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 Flash存储器及其电离辐射效应 |
| 2 试验简介 |
| 2.1 辐射环境 |
| 2.2 试验方法 |
| 3 试验结果及讨论 |
| 4 结 论 |
四、浮栅ROM器件的辐射效应实验研究（论文参考文献）
- [1]NAND型Flash存储器质子单粒子效应及机制研究[D]. 彭聪. 南京航空航天大学, 2020(07)
- [2]中子单粒子效应研究现状及进展[J]. 杨善潮,齐超,刘岩,郭晓强,金晓明,陈伟,白小燕,林东生,王桂珍,王晨辉,李斌. 强激光与粒子束, 2015(11)
- [3]EEPROM瞬时剂量率效应实验研究[A]. 王桂珍,齐超,林东生,白小燕,杨善潮,李瑞宾,刘岩,金晓明. 北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集, 2014
- [4]EEPROM瞬时剂量率效应实验研究[J]. 王桂珍,齐超,林东生,白小燕,杨善潮,李瑞宾,刘岩,金晓明. 原子能科学技术, 2014(S1)
- [5]EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较[J]. 王桂珍,林东生,齐超,白小燕,杨善超,李瑞宾,马强,金晓明,刘岩. 微电子学, 2014(04)
- [6]NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究[J]. 盛江坤,邱孟通,姚志斌,何宝平,黄绍艳,刘敏波,肖志刚,王祖军. 原子能科学技术, 2014(08)
- [7]非挥发半导体存储器辐照失效机理及抗辐照加固研究[D]. 章旭明. 复旦大学, 2014(08)
- [8]Flash存储器总剂量效应研究[D]. 罗敏涛. 西安电子科技大学, 2014(02)
- [9]一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究[D]. 范雪. 电子科技大学, 2011(12)
- [10]0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究[J]. 范雪,李平,谢小东,李辉,杨志明,丛伟林. 固体电子学研究与进展, 2011(01)