一、电子俘获光存储技术（论文文献综述）
邓明雪[1]（2021）在《锗酸钇基光信息存储材料的制备及性能研究》文中提出
郑涛[2]（2021）在《基于荧光玻璃的电子俘获型光信息存储研究》文中提出
侯桂芹,张颖,贾志芳[3]（2014）在《电子俘获光存储材料的研究进展》文中进行了进一步梳理电子俘获光存储技术作为当今发展潜力最大的信息存储技术,已越来越引起人们的重视。本文介绍了几类典型的电子俘获光存储材料,分析了各种材料的特点及其存在的问题,并对电子俘获光存储材料的研究进行了展望。
刘春光[4]（2013）在《稀土离子掺杂12CaO·7Al2O3基电子俘获材料的制备及光存储特性研究》文中指出电子俘获材料在红外探测、红外上转换、探测计量、光计算、光信息处理、光存储、及X射线影像存储等领域都具有广阔的应用前景。本文以12CaO·7Al2O3（C12A7）为基质材料，采用化学共沉淀方法制备了C12A7：Eu2+、C12A7：Eu2+,Dy3+和C12A7：Eu2+,Nd3+等电子俘获材料，并通过X射线衍射（XRD）、激发光谱、发射光谱、余辉衰减、光激励发光（PSL）和热释发光等测试手段系统研究了C12A7:Eu2+,Dy3+和C12A7:Eu2+,Nd3+的微结构和光学性质，探讨了电子俘获材料的光存储机制，并研究了C12A7:Eu2+,Dy3+的X射线存储特性，得到了较清晰的X射线存储图像。C12A7：Eu2+,Dy3+的测试结果表明，C12A7:Eu2+,Dy3+的激发峰位置分别位于254nm和325nm，发射峰位于444nm，为Eu2+的4f65d到4f7的发射，激发光谱和发射光谱均显示为宽峰线形。蓝色余辉时间较长，说明C12A7:Eu2+,Dy3+中存在许多较浅陷阱。根据热释发光得到两个深陷阱的激活能分别为0.81eV和0.95eV。C12A7:Eu2+,Dy3+样品经紫外光辐照后，用980nm或808nm红外光激励后有较强的光激励发光。研究比较了C12A7:Eu2+和C12A7：Eu2+,Nd3+的光学特性， C12A7:Eu2+的激发光谱中可以明显地观察到两个归属于Eu2+4f-5d激发峰，分别位为260nm和315nm，而C12A7:Eu2+,Nd3+只有一个较强激发峰，位于315nm，260nm位置激发峰值很弱。紫外线照射后，可观察到蓝色长余辉发光现象。余辉衰减曲线由快过程和慢过程组成，余辉时间比C12A7:Eu2+,Dy3+长，根据热释发光曲线得到C12A7:Eu2+,Nd3+深陷阱的激活能是0.74eV，有较强的光激励发光（PSL）。根据材料的光学特性研究了稀土离子掺杂C12A7基电子俘获材料的陷阱特性和光存储机理，实验研究了C12A7:Eu2+,Dy3+X射线存储特性，通过实验我们发现，C12A7:Eu2+,Dy3+经在空气中1380℃烧结10小时处理后光学性质发生了显着变化，X射线影像存储效果较好，其激发光谱为250到470nm的宽带吸收，主要激发峰位置分别位于330，349、362、385nm等，发射光谱显示主要来自Eu2+和Dy3+的光发射，发射峰位440，480和572nm，分别归属为Eu2+的5d→4f跃迁发射和Dy3+的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2的发射。在发射谱中没有观察到Eu2+到Dy3+的能量传递，说明空气中热处理下使掺入的Dy3+从还原气氛处理条件下的陷阱中心转变成为了发光激活中心。经空气高温烧结样品的余辉时间变短，说明该样品中的浅陷阱数量减少。样品经紫外光辐照后，用980或808nm红外光激励后有较强的光激励发光。利用该样品我们得到了较为清晰的X射线存储图像，同时探讨了降低X射线辐照剂量和提高X射线影像空间分辨率的方法和途径。我们的研究结果表明C12A7材料是一种理想的稀土离子掺杂的基质材料，在应急照明、光信息存储及X射线影像存储等领域有着广阔的应用前景。
郭伟[5]（2011）在《光信息存储技术发展现状及前景分析》文中研究表明随着社会的发展和科技的进步,信息的存储容量在以几何级数增加,高密度数据存储技术始终是人们关注的研究领域。在当前主流的三种存储技术（磁存储、半导体存储和光存储）中,光存储具有存储密度大、信息保存时间长、生产成本低、潜力巨大等特点,因此被视为最有发展前途的存储方法。传统的光存储技术虽然已经成熟,但受波长衍射极限和物镜数值孔径的限制,存储容量和存储密度已经接近极限。随着与光存储相关的几门学科（光学技术、微电子技术、材料科学、细微加工技术、计算机与自动控制技术）的发展,目前出现了很多新兴的光存储技术,如：体全息存储、光谱烧孔存储、双光子吸收三维存储、散斑复用光存储、波导多层光存储、荧光多层光存储、固体浸没透镜近场存储、超分辨率近场结构存储、探针型近场光存储、光学双稳态、多阶光存储、多波长光存储、光波混频的相位共轭光存储、光折变存储、光致变色光存储、电子俘获光存储等。本研究对传统的存储技术和新兴的光存储技术原理进行了述评,对它们的优缺点进行了比较,并从总体发展规律上对其进行分析,在此基础上展望了未来信息存储的发展趋势。
张林[6]（2010）在《溶胶—凝胶法制备ZBS：M光存储玻璃薄膜》文中认为Mn2+掺杂的ZnO-B2O3-SiO2（ZBSM）体系玻璃薄膜是一种新型的光信息存储材料,其具有性能稳定、易于加工等特点,并且在存储密度、读写速率等方面优势明显。在信息存储领域有着十分广阔的应用前景。是当今光电信息材料领域研究的热点和重点之一。采用硝酸锌（Zn（NO3）2·6H2O）、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、硼酸（H3BO3）为基质原料,掺杂光活性金属Mn2+采用溶胶-凝胶法制备了具有光存储性能的ZBSM体系玻璃薄膜。并研究了激活离子、基质组成比例等不同因素对ZBSM体系玻璃薄膜光存储性能的影响。通过实验可以得到ZnO-B2O3-SiO2体系光存储玻璃薄膜的制备工艺如下:基质原料以及所掺杂的光活性离子的比例为:Zn（NO3）2·6H2O:H3BO3:C8H20O4Si: Mn（CH3COO）2·4H2O（摩尔比）=6:2:2:0.1;控制水解的pH值为1.0,在60℃的水浴条件下水解大约24h,在60℃的烘箱内干燥约19h。采用浸渍提拉法进行镀膜处理,根据所要求薄膜厚度的不同选择不同的镀膜次数,但是一般不超过5次。试样最终的热处理温度在650℃左右。利用荧光光谱和热释光谱两种分析测试手段,可以得出ZBSM体系光存储玻璃薄膜在光存储性能方面主要具有以下几个特点:材料的荧光和光激励余辉同样是来源于Mn2+的4T1（4G）→6A1g（6S）跃迁;材料内部分别存在着两个能级深度为0.80eV和1.02eV的缺陷陷阱中心。其中利用能级深度为1.02eV的陷阱可以实现对电子的稳定存储。通过对同体系ZBSM微晶玻璃的制备和结构性能研究,进一步对比分析了ZBSM体系光存储玻璃薄膜的光激励发光性能和结构特点。
郑晨溪[7]（2009）在《光存储技术研究进展》文中研究说明伴随信息资源的数字化和信息量的迅猛增长,对存储器的存储密度、存取速率及存储寿命的要求不断提高。在这种情况下,光存储技术应运而生。光存储技术具有存储密度高、存储寿命长、非接触式读写和檫出、信息的信噪比高、信息位的价格低等优点。本文简要介绍光存储技术的发展与现状。
裴之利[8]（2008）在《氟氯锆酸盐玻璃陶瓷发光特性的研究》文中认为为了弥补以往电子俘获光存储材料存在一些实用上的问题,更深入的了解电子俘获材料的光存储性质,我们着重研究了BaCl2∶Eu2+粉末以及氟氯锆酸盐玻璃陶瓷的光激励发光特性。采用高温固相扩散反应法制备了BaCl2∶Eu22+粉末以及氟氯锆酸盐玻璃陶瓷系列样品。采用X射线衍射（XRD）分析了样品的组分。用荧光光谱,光激励发光谱,光激励衰减光谱及样品的光透过率图的方法研究了样品的光存储性质与一些实际应用上的特性。XRD分析认为在BaCl2∶Eu22+粉末与Eu2+掺杂的氟氯锆酸盐玻璃陶瓷中含有正交相的BaCl2微晶,光激励发光有可能来源于微晶在Eu2+的5d-4f发射。研究表明:BaCl2∶Eu2+粉末具有良好的光激励发光（PSL）特性,与商用的富士IP板相比,在信息的读出过程中具有较慢的光激励发光衰减特性。氟氯锆酸盐玻璃陶瓷保持了粉末样品的良好的光激励发光（PSL）特性与光激励发光衰减特性,同时具有较好的透明度,从而提高了空间分辨率。我们重点研究了退火时间及氟氯锆酸盐玻璃陶瓷中BaCl2的含量对玻璃陶瓷的光激励发光效率与空间分辨率的影响。研究表明:在290℃的退火温度下,随着玻璃陶瓷退火时间的提高,玻璃陶瓷的光激励发光效率会提高,同时玻璃陶瓷的透明度降低,即玻璃陶瓷的空间分辨率降低,当退火时间为50分钟时,玻璃不再透明。随着氟氯锆酸盐玻璃陶瓷中BaCl2的含量的增加,玻璃陶瓷的光激励发光效率会提高,但是玻璃陶瓷的透明度降低,即玻璃陶瓷的空间分辨率降低,当BaCl2的含量提高到一定的程度时,样品不再透明且表面不再均匀。本论文中图25幅,表2个,参考文献39篇。
姜薇薇,徐征[9]（2008）在《SrS∶Eu,Sm光存储机理的研究》文中研究说明采用高温固相反应法在还原气氛下制备了SrS∶Eu,Sm样品,利用荧光光谱仪测量了这种光存储材料的激发光谱和发射光谱。将样品用紫外灯（265nm）照射激发饱和后,再用980nm的红外激光器激励,利用荧光光谱仪测试得到了峰值位于599nm的光激励发光光谱。此外还利用热释光谱仪测试了样品的热释光谱。探讨了SrS∶Eu,Sm的光存储机理,认为引入的稀土离子在SrS的带隙中形成分裂能级。当用紫外光照射材料时,Eu的电子从基态被激发到激发态或基质材料的导带,其中一部分电子被辅助激活剂Sm的陷阱俘获,实现信息写入。当材料被与陷阱深度相当的红外光激励时,电子陷阱Sm2+俘获的电子才可能跃出俘获能级,与空穴在Eu的激发态和基态能级上复合,多余的能量以可见光的形式释放出来,实现信息读出。
孟宪国[10]（2008）在《BaFX：Eu2+（X=Cl，Br）的光存储机理及一些应用问题的研究》文中进行了进一步梳理为了更深入地了解电子俘获光存储材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,我们在一些离子键晶体中研究了电子陷阱的形成和俘获机理,并对如何改进该类材料的光存储性能以满足进一步实用化的要求进行了探讨。其中着重讨论了BaFX:Eu2+（X=Cl,Br）光激励发光材料电子俘获机理。以此为基础,针对过去对于这类材料的实用化研究报道中存在的两个亟待解决的问题,即:如何进一步提高材料的空间分辨率以提高存储屏的清晰度,如何进一步使得材料的激励波长红移以匹配常用的激光器（HeNe激光器甚至波长长于650nm的半导体激光器）的读出波长,进行了探讨。本文主要通过吸收光谱的方法,来考察铕掺杂碱土金属氟卤化物在光信息写入和读出过程中电子可能发生转移存储的途径和释放过程,及对光激励发光（PSL）有贡献的可能存在的空穴陷阱。通过对BaFCl:Eu2+在紫外线辐照前后的吸收光谱的比较发现,在差吸收谱上出现了一系列的尖峰,恰好与Eu3+的吸收相吻合,这表明,在光信息写入过程中,部分电子是通过导带转移进行的;BaFCl:Eu2+的PSL衰减特性表明F（F）心的电子是遂穿进行的;通过改变F/Cl的比值,发现随Cl-离子浓度的降低,F（F-）和Fa心（F（Cl-）心的聚集态）的吸收峰都向高能侧移动,而F（Cl-）,心的吸收峰位置则基本不变,表明F（Cl-）心的电子可能是以导带转移为主。BaF1.05Cl0.95:Eu2+的差吸收谱中,在F心的高能侧出现了峰值分别位于270,315和378nm附近的三个新的差吸收带,进一步的研究表明这几个吸收带应是对应空穴陷阱的吸收,峰值位于270nm处的差吸收带应归于H（F2-）心的吸收,378nm处的差吸收带可能应归于同Cl-离子有关的空穴陷阱,315nm处的差吸收对应OF-心的吸收,为空穴陷阱的存在提供了实验上的证据。针对材料实用化存在的问题,我们采用高温固相反应法将BaFBr:Eu2+微晶成功的嵌入了氧化物玻璃中;通过微乳液反应法合成了BaFBr:Eu2+纳米颗粒,这两种方法为进一步提高材料的分辨率提供了一个合理的途径。此外,我们还通过改变材料体系,在MBrCl:Eu2+（M=Sr,Ba）和BaBrCl:Ce3+样品中观测到了光存储现象,其中BaBrCl:Eu2+的发光是位于413nm的蓝光发射,读出光的相应范围为500—800nm的宽带,有望成为一类新型的光存储材料。
二、电子俘获光存储技术（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子俘获光存储技术（论文提纲范文）
（3）电子俘获光存储材料的研究进展（论文提纲范文）
| 1 几类典型的电子俘获光存储材料 |
| 1.1 MFX型电子俘获材料 (M=Ca, Sr, Ba;X=C1, Br, I) |
| 1.2 AES型电子俘获材料 (AE=Ca, Sr) |
| 1.3 AH型电子俘获材料 (A=Na, K, Rb, Cs, H=F, Cl, Br) |
| 1.4 玻璃陶瓷电子俘获材料 |
| 2 电子俘获光存储机理 |
| 3 存在问题 |
（4）稀土离子掺杂12CaO·7Al2O3基电子俘获材料的制备及光存储特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 电子俘获光存储材料的制备与研究现状 |
| 1.1.1 电子俘获材料的制备与应用研究 |
| 1.1.2 电子俘获材料光存储机理 |
| 1.2 12CaO·7Al_2O_3的基本性质与光学特性研究 |
| 1.2.1 12CaO·7Al_2O_3的基本性质 |
| 1.2.2 稀土离子掺杂 12CaO·7Al_2O_3材料的制备与光学特性研究 |
| 1.3 选题依据 |
| 1.4 本文要研究的主要问题和研究目标 |
| 第二章 材料的制备与表征 |
| 2.1 化学共沉淀法 |
| 2.2 材料表征方法 |
| 2.2.1 X 射线衍射谱（XRD） |
| 2.2.2 荧光光谱 |
| 2.2.3 光激励发光谱和光激励谱 |
| 2.2.4 吸收光谱 |
| 2.2.5 热释发光 |
| 2.2.6 余辉衰减 |
| 第三章 12CaO·7Al_2O_3:Eu~(2+),Nd~(3+)的制备及光学性质研究 |
| 3.1 实验仪器 |
| 3.1.1 样品的制备仪器 |
| 3.1.2 样品的表征仪器 |
| 3.2 样品的制备 |
| 3.2.1 12CaO·7Al_2O_3的制备 |
| 3.2.2 12CaO·7Al_2O_3: Eu~(2+), Nd~(3+)的制备 |
| 3.3 样品的 XRD 分析 |
| 3.3.1 12CaO·7Al_2O_3粉末的 XRD 分析 |
| 3.3.2 Eu,Nd 共掺杂 C12A7 粉末的 XRD 分析 |
| 3.4 12CaO·7Al_2O_3:Eu~(2+),Nd~(3+)的光学性质 |
| 3.4.1 激发光谱和发射光谱 |
| 3.4.2 余辉衰减曲线 |
| 第四章 12CaO·7Al_2O_3: Eu~(2+),Dy~(3+)电子俘获材料的制备及光学特性研究 |
| 4.1 12CaO·7Al_2O_3:Eu~(2+),Dy~(3+)电子俘获材料的制备 |
| 4.2 Eu,Dy 共掺杂 C12A7 粉末的 XRD 分析 |
| 4.3 C12A7:Eu~(2+),Dy~(3+)粉末样品的发射光谱和激发光谱 |
| 4.4 余辉衰减曲线 |
| 第五章 光存储特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 C12A7:Eu~(2+),RE~(3+)光存储机理研究 |
| 5.2.1 热释发光特性 |
| 5.2.2 光激励发光特性 |
| 5.3 光存储机理 |
| 第六章 X 射线影像存储实验研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 X 射线影像存储对荧光粉的要求 |
| 6.3 X 射线影像存储实验装置 |
| 6.4 C12A7:Eu~(2+),Dy~(3+)X 射线存储特性研究 |
| 6.4.1 XRD 分析 |
| 6.4.2 激发谱和发射谱 |
| 6.4.3 余辉 |
| 6.5 C12A7:Eu~(2+),Dy~(3+)X 射线存储特性 |
| 6.5.1 X 射线辐照时间与 PSL 强度的关系 |
| 6.5.2 X 射线影像存储应用研究 |
| 6.6 X 射线影像存储机理 |
| 第七章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间科研情况 |
| 后记 |
（5）光信息存储技术发展现状及前景分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 引言 |
| 一、传统存储技术 |
| 1.1 磁存储技术 |
| 1.1.1 磁带 |
| 1.1.2 磁盘 |
| 1.2 半导体存储技术 |
| 1.2.1 RAM |
| 1.2.2 ROM |
| 1.2.3 PROM |
| 1.2.4 EPROM |
| 1.2.5 EEPROM |
| 1.2.6 FLASH |
| 1.2.7 闪存卡 |
| 1.3 传统光盘存储技术 |
| 1.4 磁光(MO)存储技术 |
| 二、三维体全息存储 |
| 2.1 体全息存储 |
| 2.2 光谱烧孔存储 |
| 2.3 双光子吸收三维存储 |
| 2.3.1 光致变色材料光存储 |
| 2.3.2 光致漂白材料光存储 |
| 2.3.3 光致聚合材料光存储 |
| 2.3.4 光致折变材料光存储 |
| 2.3.5 双光子激发光致氧化材料光存储 |
| 2.4 散斑复用光存储 |
| 2.4.1 静态散斑复用技术 |
| 2.4.2 动态散斑复用技术 |
| 2.5 波导多层光存储 |
| 2.6 荧光多层光存储 |
| 三、近场光学存储 |
| 3.1 固体浸没透镜(solid immersion lens,SIL)近场存储 |
| 3.2 超分辨率近场结构(Super-RENS)存储 |
| 3.2.1 孔径型(Transimtted-Aperture type)超分辨率近场结构 |
| 3.2.2 散射型(Scattered type)超分辨率近场结构 |
| 3.3 探针型(probe scanning microscopy,PSM)近场光存储 |
| 四、光子双稳态多波长多级存储 |
| 4.1 光学双稳态 |
| 4.2 多阶光存储 |
| 4.2.1 信号多阶光存储 |
| 4.2.1.1 坑深调制 |
| 4.2.1.2 坑边沿调制 |
| 4.2.1.3 坑形调制 |
| 4.2.1.4 记录符大小调制 |
| 4.2.2 介质多阶光存储 |
| 4.2.2.1 电子俘获多阶光存储 |
| 4.2.2.2 部分结晶多阶技术 |
| 4.2.2.3 光致变色多阶技术 |
| 4.3 多波长光存储 |
| 4.4 光波混频的相位共轭光存储 |
| 4.4.1 三波混频 |
| 4.4.2 四波混频 |
| 4.5 光折变存储 |
| 4.6 光致变色光存储 |
| 4.7 电子俘获光存储 |
| 五、总结与展望 |
| 参考文献 |
（6）溶胶—凝胶法制备ZBS：M光存储玻璃薄膜（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第1章 文献综述 |
| 1.1 电子俘获光激励发光材料 |
| 1.1.1 电子俘获光激励发光材料的研究现状 |
| 1.1.2 电子俘获光激励发光材料的分类 |
| 1.1.3 电子俘获材料的发光机理 |
| 1.1.4 玻璃的结构 |
| 1.1.5 玻璃的缺陷 |
| 1.1.6 电子俘获光激励发光材料的应用及发展 |
| 1.2 电子俘获型薄膜发光材料 |
| 1.2.1 发光薄膜分类 |
| 1.2.2 发光薄膜的制备方法 |
| 1.2.3 发光薄膜的发展和展望 |
| 1.3 课题提出 |
| 第2章 实验与研究方法 |
| 2.1 研究内容 |
| 2.2 实验原料、仪器与设备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.2.3 实验所用分析检测设备 |
| 2.3 ZBSM 光存储玻璃薄膜的制备过程 |
| 2.3.1 试样制备过程 |
| 2.3.2 溶胶-凝胶的形成过程 |
| 2.3.3 基质组成原料的加入量范围 |
| 2.4 样品表征 |
| 2.5 小结 |
| 第3章 ZBSM 光存储玻璃薄膜制备工艺的研究及性能测试 |
| 3.1 基质组成及掺杂离子对光存储性能的影响 |
| 3.1.1 基质组成对实验的影响 |
| 3.1.2 Mn~(2+)掺杂量对实验的影响 |
| 3.1.3 柠檬酸的作用及对实验的影响 |
| 3.2 ZBSM 光存储玻璃薄膜制备工艺的研究 |
| 3.2.1 pH 值对实验的影响 |
| 3.2.2 水浴温度对实验的影响 |
| 3.2.3 镀膜次数对实验制备过程的影响 |
| 3.2.4 烘干温度对实验的影响 |
| 3.2.5 热处理温度对实验的影响 |
| 3.3 ZBSM 光存储玻璃薄膜的性能测试 |
| 3.3.1 差热-热重（DTA-TG）分析 |
| 3.3.2 傅里叶红外光谱（FTIR）分析 |
| 3.3.3 X-射线衍射分析 |
| 3.3.4 X 光电子能谱分析 |
| 3.3.5 ZBSM 体系玻璃薄膜光激励发光效果图 |
| 3.3.6 荧光光谱 |
| 3.3.7 热释光谱 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 ZBSM 微晶发光玻璃的制备和研究 |
| 4.1 微晶玻璃的制备工艺及应用特点 |
| 4.1.1 微晶玻璃的制备工艺 |
| 4.1.2 微晶玻璃的应用 |
| 4.2 ZBSM 微晶发光玻璃的制备及性能检测 |
| 4.2.1 ZBSM 微晶发光玻璃的制备 |
| 4.2.2 ZBSM 微晶发光玻璃的性能检测 |
| 4.3 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 导师简介 |
| 作者简介 |
| 学位论文数据集 |
（8）氟氯锆酸盐玻璃陶瓷发光特性的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 序 |
| 1 引言 |
| 1.1 电子俘获光存储研究现状 |
| 1.2 电子俘获光存储机制的研究分类 |
| 1.3 几类典型的电子俘获光存储材料的研究 |
| 1.4 研究电子俘获光存储的主要实验方法 |
| 1.4.1 X射线衍射分析 |
| 1.4.2 光致发光 |
| 1.4.3 光激励发光谱和光激励谱 |
| 1.5 本课题的选题出发点 |
| 2 实验 |
| 2.1 材料制备 |
| 2.2 所用仪器及实验方法 |
| 2.2.1 程控节能高温电阻炉 |
| 2.2.2 荧光分光光度计 |
| 2.2.3 X射线诊断仪 |
| 2.2.4 管式炉 |
| 3 BaCl_2:Eu~(2+)粉末样品的光激励发光和存储机理研究 |
| 3.1 BaCl_2:Eu~(2+)粉末样品的制备 |
| 3.2 BaCl_2:Eu~(2+)粉末样品的实验结果与发光特性分析 |
| 3.2.1 X射线衍射分析 |
| 3.2.2 BaCl_2:Eu~(2+)粉末的发射光谱与激发谱 |
| 3.2.3 BaCl_2:Eu~(2+)粉末的光激励发光特性 |
| 3.2.4 BaCl_2:Eu~(2+)粉末的光存储特性研究 |
| 3.3 BaCl_2:Eu~(2+)粉末样品的实验小结 |
| 4 BaCl_2:Eu~(2+)玻璃陶瓷样品的制备及发光特性研究 |
| 4.1 BaCl_2:Eu~(2+)玻璃陶瓷系列样品的制备 |
| 4.2 退火时间对玻璃陶瓷发光特性的影响 |
| 4.2.1 XRD衍射谱的结果及分析 |
| 4.2.2 玻璃陶瓷样品的发射光谱与分析 |
| 4.2.3 玻璃陶瓷样品的光激励光谱与空间分辨率的分析 |
| 4.3 BaCl_2的含量对玻璃陶瓷发光特性的影响 |
| 4.3.1 样品的XRD衍射谱与分析 |
| 4.3.2 玻璃陶瓷样品的发射光谱与分析 |
| 4.3.3 玻璃陶瓷样品的光激励光谱与分析 |
| 4.3.4 玻璃陶瓷样品的透光度与空间分辨率分析 |
| 4.3.5 玻璃陶瓷的光衰减特性研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（10）BaFX：Eu2+（X=Cl，Br）的光存储机理及一些应用问题的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 序 |
| 1 引言 |
| 1.1 电子俘获光存储材料的研究进展 |
| 1.2 电子俘获光存储材料的表征方式 |
| 1.3 电子俘获光存储材料待解决的几个问题 |
| 2 实验 |
| 2.1 材料的制备 |
| 2.2 仪器及测试方法 |
| 3 BaFCl:Eu~(2+)的光存储性质及一些机理问题的研究 |
| 3.1 BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)系列样品的检测 |
| 3.2 BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)的光存储性质 |
| 3.3 BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)的光存储机理 |
| 3.3.1 BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)在光信息写入和读出过程中的能量传递过程的研究 |
| 3.3.2 BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)中空穴陷阱的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 BaFX:Eu~(2+)(X=Cl,Br)一些实用化问题的研究 |
| 4.1 提高存储屏分辨率问题的研究 |
| 4.1.1 将BaFBr:Eu~(2+)嵌入氧化物玻璃陶瓷的研究 |
| 4.1.2 BaFX(X=Cl,Br)纳米材料制备的研究 |
| 4.2 光激励波长红移以匹配激光器的读出波长的研究 |
| 4.2.1 通过对BaFX:Eu~(2+)(X=Cl,Br)材料适当修饰以减小电子陷阱的深度 |
| 4.2.2 新材料体系的探索 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
四、电子俘获光存储技术（论文参考文献）
- [1]锗酸钇基光信息存储材料的制备及性能研究[D]. 邓明雪. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2021
- [2]基于荧光玻璃的电子俘获型光信息存储研究[D]. 郑涛. 南京邮电大学, 2021
- [3]电子俘获光存储材料的研究进展[J]. 侯桂芹,张颖,贾志芳. 科技视界, 2014(17)
- [4]稀土离子掺杂12CaO·7Al2O3基电子俘获材料的制备及光存储特性研究[D]. 刘春光. 东北师范大学, 2013(05)
- [5]光信息存储技术发展现状及前景分析[D]. 郭伟. 东北师范大学, 2011(06)
- [6]溶胶—凝胶法制备ZBS：M光存储玻璃薄膜[D]. 张林. 河北理工大学, 2010(02)
- [7]光存储技术研究进展[J]. 郑晨溪. 信息系统工程, 2009(09)
- [8]氟氯锆酸盐玻璃陶瓷发光特性的研究[D]. 裴之利. 北京交通大学, 2008(08)
- [9]SrS∶Eu,Sm光存储机理的研究[J]. 姜薇薇,徐征. 光学与光电技术, 2008(02)
- [10]BaFX：Eu2+（X=Cl，Br）的光存储机理及一些应用问题的研究[D]. 孟宪国. 北京交通大学, 2008(07)